1N5802US - DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Número de pieza del fabricante

1N5802US

Número interno de parte

ABC-1N5802US

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

74997 Pieces

Precio de referencia

~~USD 5.61~~

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Especificaciones para 1N5802US

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N5802US

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 50V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 875mV @ 1A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 25ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 50V

Capacitancia a Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SQ-MELF, A

Paquete del dispositivo del proveedor : D-5A

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : 1N , 1N58

Documentos para 1N5802US

Hojas de datos : 1N5802US.pdf

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