SISA88DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Número de pieza del fabricante

SISA88DN-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SISA88DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3153717 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.10379~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

ABC Semiconductor tiene SISA88DN-T1-GE3 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para SISA88DN-T1-GE3. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para SISA88DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SISA88DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25.5nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 985pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SISA8 , SISA88D

Documentos para SISA88DN-T1-GE3

Hojas de datos : SISA88DN-T1-GE3.pdf

Productos relacionados para SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Número de pieza	Marca	Descripción
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 14KV SCREW.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10PF 100V BP 0805.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV SCREW.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 25PF 30KV.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 220PF 100V BP 1805.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 8.1PF 25V NP0 0402.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
WF165420WN10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 18KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.