SSM3J15FV,L3F - MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Número de pieza del fabricante

SSM3J15FV,L3F

Número interno de parte

ABC-SSM3J15FV,L3F

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

19254403 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SSM3J15FV,L3F

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SSM3J15FV,L3F

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Serie : π-MOSVI

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9.1pF @ 3V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 150mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : VESM

Paquete / Caja : SOT-723

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : SSM3J15FV,L3F.pdf

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