GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Número de pieza del fabricante

GA10SICP12-263

Número interno de parte

ABC-GA10SICP12-263

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

43537 Pieces

Precio de referencia

~~USD 13.9587~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

ABC Semiconductor tiene GA10SICP12-263 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para GA10SICP12-263. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para GA10SICP12-263

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GA10SICP12-263

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : -

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 25A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1403pF @ 800V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 170W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK (7-Lead)

Paquete / Caja : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GA10 , GA10SIC

Documentos para GA10SICP12-263

Hojas de datos : GA10SICP12-263.pdf

Productos relacionados para GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor

Número de pieza	Marca	Descripción
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 12KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 50PF 30KV AXIAL.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.9PF 50V NP0 0201.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	Ceramic Capacitors 52PF 400VAC SL RADIAL.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 10KV.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7000PF 15KV R230 DISK.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 14KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 10KV SCREW.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.