STD7ANM60N - MOSFET N-CH 600V DPAK

Número de pieza del fabricante

STD7ANM60N

Número interno de parte

ABC-STD7ANM60N

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

892472 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.36676~~

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Especificaciones para STD7ANM60N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STD7ANM60N

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 600V DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 363pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 45W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STD7ANM60N

Hojas de datos : STD7ANM60N.pdf

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