IRFH7187TRPBF - MOSFET N-CH 100V 18A

Número de pieza del fabricante

IRFH7187TRPBF

Número interno de parte

ABC-IRFH7187TRPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 18A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

107840 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRFH7187TRPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFH7187TRPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 18A

Serie : FASTIRFET™, HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Ta), 105A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 150µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2116pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 132W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PQFN (5x6)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRFH , IRFH71

Documentos para IRFH7187TRPBF

Hojas de datos : IRFH7187TRPBF.pdf

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