FDMD8900 - MOSFET 2N-CH 30V POWER

Número de pieza del fabricante

FDMD8900

Número interno de parte

ABC-FDMD8900

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V POWER

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

675920 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.48426~~

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Especificaciones para FDMD8900

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDMD8900

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V POWER

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 19A, 17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2605pF @ 15V

Potencia - max : 2.1W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 12-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 12-Power3.3x5

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDMD8900

Hojas de datos : FDMD8900.pdf

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