TK100L60W,VQ - MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

Número de pieza del fabricante

TK100L60W,VQ

Número interno de parte

ABC-TK100L60W,VQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

95872 Pieces

Precio de referencia

~~USD 15.6~~

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Especificaciones para TK100L60W,VQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK100L60W,VQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

Serie : DTMOSIV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 15000pF @ 30V

Característica FET : Super Junction

Disipación de potencia (max) : 797W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P(L)

Paquete / Caja : TO-3PL

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TK100L60W,VQ

Hojas de datos : TK100L60W,VQ.pdf

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