FDZ663P - MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP

Número de pieza del fabricante

FDZ663P

Número interno de parte

ABC-FDZ663P

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

67328 Pieces

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Especificaciones para FDZ663P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDZ663P

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 134 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 525pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-WLCSP (0.8x0.8)

Paquete / Caja : 4-XFBGA, WLCSP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDZ663P

Hojas de datos : FDZ663P.pdf

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