AS4C64M8D1-5TCN - IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Número de pieza del fabricante

AS4C64M8D1-5TCN

Número interno de parte

ABC-AS4C64M8D1-5TCN

Fabricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

253589 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.43514~~

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Especificaciones para AS4C64M8D1-5TCN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AS4C64M8D1-5TCN

Fabricante : Alliance Memory, Inc.

Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR

Tamaño de la memoria : 512Mb (64M x 8)

Frecuencia de reloj : 200MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 700ps

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 2.3V ~ 2.7V

Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TA)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 66-TSOP II

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AS4C6 , AS4C64M

Documentos para AS4C64M8D1-5TCN

Hojas de datos : AS4C64M8D1-5TCN.pdf

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