AOT11S60L - MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Número de pieza del fabricante

AOT11S60L

Número interno de parte

ABC-AOT11S60L

Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

324079 Pieces

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Especificaciones para AOT11S60L

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AOT11S60L

Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Serie : aMOS™

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 399 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 545pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 178W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para AOT11S60L

Hojas de datos : AOT11S60L.pdf

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