GPAS1002 MNG - DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Número de pieza del fabricante

GPAS1002 MNG

Número interno de parte

ABC-GPAS1002 MNG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2508226 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.1305~~

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Especificaciones para GPAS1002 MNG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GPAS1002 MNG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 10A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 10A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AB (D²PAK)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GPAS , GPAS10

Documentos para GPAS1002 MNG

Hojas de datos : GPAS1002 MNG.pdf

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