TK8Q65W,S1Q - MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Número de pieza del fabricante

TK8Q65W,S1Q

Número interno de parte

ABC-TK8Q65W,S1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

419643 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.78~~

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Especificaciones para TK8Q65W,S1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK8Q65W,S1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Serie : DTMOSIV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7.8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 300µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 570pF @ 300V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 80W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I-PAK

Paquete / Caja : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TK8Q65W,S1Q

Hojas de datos : TK8Q65W,S1Q.pdf

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