SPS01N60C3 - MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

Número de pieza del fabricante

SPS01N60C3

Número interno de parte

ABC-SPS01N60C3

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

34848 Pieces

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Especificaciones para SPS01N60C3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SPS01N60C3

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 800mA (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 100pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 11W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO251-3

Paquete / Caja : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SPS01N60C3

Hojas de datos : SPS01N60C3.pdf

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