IRF630NSTRR - MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Número de pieza del fabricante

IRF630NSTRR

Número interno de parte

ABC-IRF630NSTRR

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

104280 Pieces

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Especificaciones para IRF630NSTRR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF630NSTRR

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 575pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 82W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRF , IRF63

Documentos para IRF630NSTRR

Hojas de datos : IRF630NSTRR.pdf

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