IXTD4N80P-3J - MOSFET N-CH 800

Número de pieza del fabricante

IXTD4N80P-3J

Número interno de parte

ABC-IXTD4N80P-3J

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 800

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

42614 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IXTD4N80P-3J

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTD4N80P-3J

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 800

Serie : PolarHV™

Estado de la pieza : Last Time Buy

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 750pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 100W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Die

Paquete / Caja : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXTD4N80P-3J

Hojas de datos : IXTD4N80P-3J.pdf

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