SI5922DU-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Número de pieza del fabricante

SI5922DU-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI5922DU-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3267684 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SI5922DU-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI5922DU-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.2 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 765pF @ 15V

Potencia - max : 10.4W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® ChipFet Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI592 , SI5922D

Documentos para SI5922DU-T1-GE3

Hojas de datos : SI5922DU-T1-GE3.pdf

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