CSD86336Q3D - 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Número de pieza del fabricante

CSD86336Q3D

Número interno de parte

ABC-CSD86336Q3D

Fabricante

T-I

Breve descripción

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

892367 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para CSD86336Q3D

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD86336Q3D

Fabricante : T-I

Descripción : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : Logic Level Gate, 5V Drive

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

Potencia - max : 6W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 125°C

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CSD86336Q3D

Hojas de datos : CSD86336Q3D.pdf

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