SSM6N815R,LF - MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Número de pieza del fabricante

SSM6N815R,LF

Número interno de parte

ABC-SSM6N815R,LF

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4354161 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.075175~~

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Especificaciones para SSM6N815R,LF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SSM6N815R,LF

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate, 4V Drive

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 290pF @ 15V

Potencia - max : 1.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-SMD, Flat Leads

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP-F

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SSM6N815R,LF

Hojas de datos : SSM6N815R,LF.pdf

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