SI1965DH-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3297147 Pieces
Precio de referencia
USD 0.099275
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Especificaciones para SI1965DH-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI1965DH-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 120pF @ 6V
Potencia - max : 1.25W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor : SC-70-6 (SOT-363)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Documentos para SI1965DH-T1-GE3

Hojas de datos : SI1965DH-T1-GE3.pdf

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