TPN2010FNH,L1Q - MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Número de pieza del fabricante

TPN2010FNH,L1Q

Número interno de parte

ABC-TPN2010FNH,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1027705 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.3185~~

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Especificaciones para TPN2010FNH,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPN2010FNH,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 250V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 198 mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 600pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta), 39W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TPN2 , TPN2010

Documentos para TPN2010FNH,L1Q

Hojas de datos : TPN2010FNH,L1Q.pdf

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