SPB80N10L G - MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

Número de pieza del fabricante

SPB80N10L G

Número interno de parte

ABC-SPB80N10L G

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59249 Pieces

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Especificaciones para SPB80N10L G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SPB80N10L G

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4540pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 250W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO263-3-2

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SPB , SPB80

Documentos para SPB80N10L G

Hojas de datos : SPB80N10L G.pdf

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