IRLSL4030PBF - MOSFET N-CH 100V 180A TO-262

Número de pieza del fabricante

IRLSL4030PBF

Número interno de parte

ABC-IRLSL4030PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 180A TO-262

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

115264 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.245~~

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Especificaciones para IRLSL4030PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRLSL4030PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 180A TO-262

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 11360pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 370W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRLSL4030PBF

Hojas de datos : IRLSL4030PBF.pdf

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