IPW65R041CFDFKSA1 - MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

Número de pieza del fabricante

IPW65R041CFDFKSA1

Número interno de parte

ABC-IPW65R041CFDFKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

58320 Pieces

Precio de referencia

~~USD 7.215~~

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Especificaciones para IPW65R041CFDFKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPW65R041CFDFKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 68.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 33.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3.3mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 8400pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO247-3

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPW65R041CFDFKSA1

Hojas de datos : IPW65R041CFDFKSA1.pdf

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