GP1M006A065PH - MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Número de pieza del fabricante

GP1M006A065PH

Número interno de parte

ABC-GP1M006A065PH

Fabricante

Global Power Technologies Group

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

83680 Pieces

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Especificaciones para GP1M006A065PH

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GP1M006A065PH

Fabricante : Global Power Technologies Group

Descripción : MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1177pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 120W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I-PAK

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GP1M , GP1M00

Documentos para GP1M006A065PH

Hojas de datos : GP1M006A065PH.pdf

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