NSVBAS19LT1G - DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Número de pieza del fabricante

NSVBAS19LT1G

Número interno de parte

ABC-NSVBAS19LT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

19524302 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.016765~~

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Especificaciones para NSVBAS19LT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NSVBAS19LT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 120V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 200mA (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.25V @ 200mA

Velocidad : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 50ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3 (TO-236)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NSVBAS19LT1G

Hojas de datos : NSVBAS19LT1G.pdf

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