NTMD6601NR2G - MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

NTMD6601NR2G

Número interno de parte

ABC-NTMD6601NR2G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

53911 Pieces

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Especificaciones para NTMD6601NR2G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTMD6601NR2G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 215 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 400pF @ 25V

Potencia - max : 600mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : NTMD6601NR2G.pdf

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