SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

Número de pieza del fabricante

SIZF916DT-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SIZF916DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH DUAL 30V

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

844809 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.38745~~

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Especificaciones para SIZF916DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIZF916DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH DUAL 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Potencia - max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SIZF916DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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