VP2206N3-G - MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Número de pieza del fabricante

VP2206N3-G

Número interno de parte

ABC-VP2206N3-G

Fabricante

Microchip Technology

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

333998 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para VP2206N3-G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : VP2206N3-G

Fabricante : Microchip Technology

Descripción : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 640mA (Tj)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 450pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 740mW (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-92-3

Paquete / Caja : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para VP2206N3-G

Hojas de datos : VP2206N3-G.pdf

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