TK22E10N1,S1X - MOSFET N CH 100V 52A TO220

Número de pieza del fabricante

TK22E10N1,S1X

Número interno de parte

ABC-TK22E10N1,S1X

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N CH 100V 52A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

477841 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.685~~

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Especificaciones para TK22E10N1,S1X

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK22E10N1,S1X

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N CH 100V 52A TO220

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 52A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1800pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 72W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TK22E10N1,S1X

Hojas de datos : TK22E10N1,S1X.pdf

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