RCD051N20TL - MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

Número de pieza del fabricante

RCD051N20TL

Número interno de parte

ABC-RCD051N20TL

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2953517 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RCD051N20TL

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RCD051N20TL

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 760 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 330pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 850mW (Ta), 20W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : CPT3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RCD , RCD05

Documentos para RCD051N20TL

Hojas de datos : RCD051N20TL.pdf

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