CSD25303W1015 - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Número de pieza del fabricante

CSD25303W1015

Número interno de parte

ABC-CSD25303W1015

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

44608 Pieces

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Especificaciones para CSD25303W1015

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD25303W1015

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 435pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-DSBGA (1x1.5)

Paquete / Caja : 6-UFBGA, DSBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : CSD25303W1015.pdf

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