SI3586DV-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Número de pieza del fabricante

SI3586DV-T1-E3

Número interno de parte

ABC-SI3586DV-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

53625 Pieces

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Especificaciones para SI3586DV-T1-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI3586DV-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Potencia - max : 830mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI3586DV-T1-E3

Hojas de datos : SI3586DV-T1-E3.pdf

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