FQPF19N10 - MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Número de pieza del fabricante

FQPF19N10

Número interno de parte

ABC-FQPF19N10

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1106077 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FQPF19N10

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQPF19N10

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13.6A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 780pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 38W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220F

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FQPF19N10

Hojas de datos : FQPF19N10.pdf

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