APT19M120J - MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
83872 Pieces
Precio de referencia
USD 17.83
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Especificaciones para APT19M120J

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : APT19M120J
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Serie : POWER MOS 8™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9670pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 545W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : ISOTOP®
Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : APT19M120J.pdf

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