VP2110K1-G - MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3

Número de pieza del fabricante

VP2110K1-G

Número interno de parte

ABC-VP2110K1-G

Fabricante

Microchip Technology

Breve descripción

MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1444499 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para VP2110K1-G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : VP2110K1-G

Fabricante : Microchip Technology

Descripción : MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120mA (Tj)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 60pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-236AB (SOT23)

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para VP2110K1-G

Hojas de datos : VP2110K1-G.pdf

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