MT41K256M16V80AWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
100904 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para MT41K256M16V80AWC1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : MT41K256M16V80AWC1
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - DDR3L
Tamaño de la memoria : 4Gb (256M x 16)
Frecuencia de reloj : -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : -
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje : -
Paquete / Caja : -
Paquete del dispositivo del proveedor : -
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : MT41K2 , MT41K256M

Documentos para MT41K256M16V80AWC1

Hojas de datos : MT41K256M16V80AWC1.pdf

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