NCV5701CDR2G - HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Número de pieza del fabricante

NCV5701CDR2G

Número interno de parte

ABC-NCV5701CDR2G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

732564 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.4968~~

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Especificaciones para NCV5701CDR2G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NCV5701CDR2G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Serie : *

Estado de la pieza : Active

Configuración dirigida : -

Tipo de canal : -

Número de conductores : -

Tipo de puerta : -

Suministro de voltaje : -

Voltaje lógico - VIL, VIH : -

Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero) : -

Tipo de entrada : -

Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap) : -

Tiempo de subida / caída (tipo) : -

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : -

Paquete / Caja : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NCV5 , NCV570

Documentos para NCV5701CDR2G

Hojas de datos : NCV5701CDR2G.pdf

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