F1T6GHR0G - DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Número de pieza del fabricante

F1T6GHR0G

Número interno de parte

ABC-F1T6GHR0G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

12003110 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.02727~~

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Especificaciones para F1T6GHR0G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : F1T6GHR0G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 800V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 1A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 500ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 800V

Capacitancia a Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : T-18, Axial

Paquete del dispositivo del proveedor : TS-1

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : F1T , F1T6

Documentos para F1T6GHR0G

Hojas de datos : F1T6GHR0G.pdf

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