JAN2N6766 - MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

Número de pieza del fabricante

JAN2N6766

Número interno de parte

ABC-JAN2N6766

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

71552 Pieces

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Especificaciones para JAN2N6766

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : JAN2N6766

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

Serie : Military, MIL-PRF-19500/543

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3

Paquete / Caja : TO-204AE

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : JAN2N6766.pdf

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