2SK879-Y(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM

Número de pieza del fabricante

2SK879-Y(TE85L,F)

Número interno de parte

ABC-2SK879-Y(TE85L,F)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

JFET N-CH 0.1W USM

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4641252 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.070525~~

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Especificaciones para 2SK879-Y(TE85L,F)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2SK879-Y(TE85L,F)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : JFET N-CH 0.1W USM

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) : -

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : -

Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V

Drenaje Actual (Id) - Max : -

Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id : 400mV @ 100nA

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 8.2pF @ 10V

Resistencia - RDS (On) : -

Potencia - max : 100mW

Temperatura de funcionamiento : 125°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SC-70, SOT-323

Paquete del dispositivo del proveedor : USM

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : 2SK87 , 2SK879-Y

Documentos para 2SK879-Y(TE85L,F)

Hojas de datos : 2SK879-Y(TE85L,F).pdf

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