SIZF906DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
881930 Pieces
Precio de referencia
USD 0.37114
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Especificaciones para SIZF906DT-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SIZF906DT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Serie : TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potencia - max : 38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PowerPair® (6x5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : SIZF9 , SIZF906D

Documentos para SIZF906DT-T1-GE3

Hojas de datos : SIZF906DT-T1-GE3.pdf

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