FDS6900AS - MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

FDS6900AS

Número interno de parte

ABC-FDS6900AS

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1421728 Pieces

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Especificaciones para FDS6900AS

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDS6900AS

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

Serie : PowerTrench®, SyncFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6.9A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 600pF @ 15V

Potencia - max : 900mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDS6900AS

Hojas de datos : FDS6900AS.pdf

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