BUK9E6R1-100E,127 - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Número de pieza del fabricante

BUK9E6R1-100E,127

Número interno de parte

ABC-BUK9E6R1-100E,127

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

46020 Pieces

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Especificaciones para BUK9E6R1-100E,127

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BUK9E6R1-100E,127

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 17460pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 349W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BUK9E , BUK9E6R1

Documentos para BUK9E6R1-100E,127

Hojas de datos : BUK9E6R1-100E,127.pdf

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