CSD17579Q3AT - MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Número de pieza del fabricante

CSD17579Q3AT

Número interno de parte

ABC-CSD17579Q3AT

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1623629 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.2016~~

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Especificaciones para CSD17579Q3AT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD17579Q3AT

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 998pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSONP (3x3.15)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CSD17579Q3AT

Hojas de datos : CSD17579Q3AT.pdf

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