FQT1N80TF-WS - MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Número de pieza del fabricante

FQT1N80TF-WS

Número interno de parte

ABC-FQT1N80TF-WS

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1408057 Pieces

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Especificaciones para FQT1N80TF-WS

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQT1N80TF-WS

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200mA (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 195pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223-3

Paquete / Caja : TO-261-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FQT1N80TF-WS

Hojas de datos : FQT1N80TF-WS.pdf

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