EPC2007C - GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

Número de pieza del fabricante

EPC2007C

Número interno de parte

ABC-EPC2007C

Fabricante

EPC

Breve descripción

GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

708491 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.462~~

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Especificaciones para EPC2007C

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EPC2007C

Fabricante : EPC

Descripción : GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.2mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 220pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Die Outline (5-Solder Bar)

Paquete / Caja : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para EPC2007C

Hojas de datos : EPC2007C.pdf

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