TB10S-G - BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS

Número de pieza del fabricante

TB10S-G

Número interno de parte

ABC-TB10S-G

Fabricante

Comchip Technology

Breve descripción

BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

99136 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para TB10S-G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TB10S-G

Fabricante : Comchip Technology

Descripción : BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de diodo : Single Phase

Tecnología : Standard

Voltaje: pico inverso (máximo) : 1kV

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 800mA

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 950mV @ 400mA

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1000V

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 4-SMD, Gull Wing

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-TBS

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TB , TB1

Documentos para TB10S-G

Hojas de datos : TB10S-G.pdf

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