MHE1003NR3 - RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

Número de pieza del fabricante

MHE1003NR3

Número interno de parte

ABC-MHE1003NR3

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

36567 Pieces

Precio de referencia

~~USD 65.09764~~

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Especificaciones para MHE1003NR3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MHE1003NR3

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de transistor : LDMOS

Frecuencia : 2.4GHz ~ 2.5GHz

Ganancia : 14.1dB

Voltaje - prueba : 28V

Valoración actual : 10µA

Figura de ruido : -

Corriente - Prueba : 50mA

Salida de potencia : 53dBm

Tensión nominal : 65V

Paquete / Caja : OM-780-2

Paquete del dispositivo del proveedor : OM-780-2

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MHE , MHE10

Documentos para MHE1003NR3

Hojas de datos : MHE1003NR3.pdf

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