SIHB33N60ET1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Número de pieza del fabricante

SIHB33N60ET1-GE3

Número interno de parte

ABC-SIHB33N60ET1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

192568 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.9425~~

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Especificaciones para SIHB33N60ET1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIHB33N60ET1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Serie : E

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 33A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3508pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 278W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263 (D²Pak)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SIHB33N60ET1-GE3

Hojas de datos : SIHB33N60ET1-GE3.pdf

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